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Definición

El transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan a las del transistor bipolar BJT. Son dispositivos que se usan para lo mismo pero tienen diferencias. La principal es que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente y el FET es un dispositivo controlado por tensión. Existen dos tipos de FET: los de canal N y los de canal P. El FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente de la conducción o bien, de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p). Las características principales de los FET es que presentan una gran impedancia de entrada, mayor estabilidad frente a la temperatura y, en cuanto a su tamaño de construcción, son elementos muy pequeños lo que les permite ser utilizados en la mayoría de los circuitos integrados. Existen dos formas de fabricar FET: los JFET transistores de efecto de campo de unión y los MOSFET transistores de efecto de campo metal oxido semiconductor.